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MRF8P23080HR3 MRF8P23080HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
Gps
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 7. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
-- 1 0
-- 2 0
9
15
0
60
50
40
30
20
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
14
13
10 100
10
-- 6 0
ACPR (dBc)
12
11
10
0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
Figure 8. Broadband Frequency Response
0
18
2050
f, FREQUENCY (MHz)
VDD
=28Vdc
Pin
=0dBm
IDQA
= 280 mA
VGSB
=0.7Vdc
12
9
6
2125
GAIN (dB)
15
Gain
2200 2275 2350 2425 2500 2575 2650
3
VDD=28Vdc,IDQA
= 280 mA, VGSB
=0.7Vdc
2300 MHz
2350 MHz
2400 MHz
2300 MHz
2350 MHz
2400 MHz
ηD
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on
CCDF
W--CDMA TEST SIGNAL
0.0001
100
0
PEAK--TO--AVERAGE (dB)
Figure 9. CCDF W--CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single--Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
1357924 6810
PROBABILITY (%)
W--CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @
±5MHzOffset.
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
Input Signal
-- 6 0
--100
10
(dB)
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 7 0
-- 8 0
-- 9 0
3.84 MHz
Channel BW
-- 9 9-- 7 . 2
7.2
1.8 5.43.6
0
-- 1 . 8
-- 3 . 6
-- 5 . 4
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 10. Single--Carrier W--CDMA Spectrum
--ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPRin3.84MHz
Integrated BW
-- 1 0
0
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